MA: UNTERSUCHUNG DES EINFLUSSES NEUER SIGE-HALBLEITERTECHNOLOGIEN AUF DIE IN RADARSENSOREN EINGESETZTEN INTEGRIERTEN HOCHFREQUENZSCHALTUNGEN

Global

Supervision: David Starke

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Description

HINTERGRUND DER ARBEIT:

Neue Halbleitertechnologien erlauben es, Radarsensoren für bislang unerreichbare Frequenzbereiche zu entwickeln oder bestehende Radarsensoren zu verbessern. In aktuellen Publikationen werden SiGe-Technologien beschrieben die eine Transitfrequenz f_T von 300 GHz und eine maximale Schwingfrequenz f_max von 700 GHz aufweisen. Durch die Nutzung dieser modernen Halbleitertechnologien kann z.B. das Rauschverhalten, die Ausgangsleistung oder die Leistungsaufnahme bestehender 80 GHz oder 240 GHz Radarsystemen verbessert werden.

ZIEL DER ARBEIT:

Ziel dieser Arbeit ist es ausgewählte Schaltungstopologien, die in FMCW-Radarsystemen eingesetzt werden, in unterschiedlichen Halbleitertechnologien zu simulieren, um so einen Vergleich der Technologien durchführen zu können.

INHALT DER ARBEIT:

  • Literaturrecherche, sowie Einarbeiten in die Thematik
  • Simulation ausgewählter Schaltungstopologien
  • Layout und Post-Layout Simulation der entwickelten Schaltungen
  • Vergleich zwischen Schaltungsrealisierungen in unterschiedlichen Technologien

Requirements

Fun­dier­tes Wis­sen in den Grund­la­gen im Kon­text der aus­ge­schrie­be­nen Ar­beit.